2025年10月19日
发射极关断（Emitter Trun-Off，ETO）晶闸管具有栅极截止晶闸管的耐高电压和高电流的能力，以及易于控制MOS栅极的优点，其他功能包括高电压电流整流能力和器件电流检测能力。ETO晶闸管的结构原理图与电路符号如图2-92所示。
VQG充当栅极开关并与栅极1相连。ETO晶闸管是由发射极开关即低压MOSFET（VQG是pMOSFET，VQB是nMOSFET）和GTO晶闸管串联组成的功率器件。在栅极2和栅极3上施加正电压就打开器件，此时VQG关断，VQB开启，一起电压通过VQB加到GTO晶闸管上使GTO晶闸管开始导通。在栅极2和栅极3上施加负电压则关断器件。
2025年10月19日
现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，还有一些速度比较高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。
TTL：Transistor-Transistor Logic 三极管结构。
Vcc：5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。
因为2.4V与5V之间还有很大空闲，对改善噪声容限并没什么好处，又会白白增大系统功耗，还会影响速度。所以后来就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTL。
2025年10月19日
IT之家 9 月 20 日消息，科技媒体 sammyguru 昨日（9 月 19 日）发布博文，分享了一组手机壳渲染图，展示了三星 Galaxy S26 Pro（可视为标准版）、Galaxy S26 Edge、Galaxy S26 Ultra 三款手机。
根据曝光的渲染图，三星 Galaxy S26 Pro 左侧机身左上角配备垂直排列的胶囊形相机模组，内含三枚摄像头，而 Galaxy S25 的摄像头则直接从机身背板向外凸起。
2025年10月19日
Flux 是 Facebook 提出的应用架构模式，用于管理 React 应用中的数据流和状态。它强调单向数据流，以解决复杂应用中数据和视图不一致的问题。Flux 不是一个具体的库或框架，而是一种设计模式，围绕以下几个核心概念：
2025年10月19日
晶体管（Transistor）是现代电子设备中最重要的基本电子元件之一，它是一种 半导体器件，用于控制电流流动。晶体管可以放大电信号，或者作为开关来控制信号的开关状态。在计算机和所有现代电子设备中，晶体管发挥着至关重要的作用。
晶体管的核心功能是通过外部输入（电压或电流）来调节其内部的电流流动。通常，晶体管分为
2025年10月19日
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
它最主要的功能是电流放大（模拟电路）和开关作用（数字电路）。
对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e （Emitter）、基极b (Base)和集电极c (Collector)
2025年10月19日
三极管是晶体管的一种，三极管的三个极分别是基极（Base）、发射极（Emitter）、集电极（Collector）。
如下是 NPN 三极管的等效电路，BE 之间就是一个二极管，CE 之间等效为一个可调电阻，阻值可以从若干欧到无穷大（开路）。
NPN 的特征方程：
Ic=βib，NPN 的 Ib 是从 B 到 E，Ic 是从 C 到 E，β是三极管自身的放大倍数，可认为是取决于生产工艺的常数，数值从几十到数百倍之间。
2025年10月19日
液晶显示器的五大电压和说明
一、逻辑板上五大电压和阶调查电压的作用
1、VGH: Vgatehigh,是指gate级的高电位,也就是打开gate级的电压。
2、VGL: Vgatelow,是gate级的低电位,也就是关闭gate级的电压,在二阶驱动时此电压有效,在三阶驱动时,此电压只是用来产生Vgoffl;
3、VgoffL: Vgateofflow,是gate级关闭电压中的低电平(使用在三阶驱动中,由VGL经过一个电压转换电路得到)。
2025年10月19日
晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管（两个端子）、三极管、场效应管、晶闸管（后三者均为三端子）等。晶体管有时多指晶体三极管,有NPN与PNP管两种。只能通过型号找规格书及测试知道具体的类型，电压，功率，放大倍数等具体参数。
2025年10月19日
对“PCB 设计”而言，其中最重要、也是最基础的，就是“电源与地 GND”；列举例子如下：
i）、首先，对“简单电路”而言，其中的“电源与地 GND”只有 2 个，大部分情况下，其被命名为“VCC”和“GND”；
ii）、其次，对“稍复杂电路”而言，其必须对 GND 进行“地平面分割”，因为“GND”是噪声最大的地方，所有的噪声最终会通过电路或线路导入到 GND 上；同时，“数字电路”对噪声的容忍度很高，“模拟电路”对噪声的容忍度很低，两种 GND 若是不分割，数字电路的噪声会直接与模拟电路的噪声叠加在一起，使“GND”出现“偏移”，曾经实测的电路中，GND 的电位偏移最大时，其能达到“350mV”，直接导致“AD/DA”工作紊乱；