在半导体制造中，Litho 是 Photolithography（光刻） 的简称，是半导体制造中极为关键的一步。光刻工艺的主要目的是将设计好的电路图案从掩膜版（Mask）转移到硅片（Wafer）上，为后续的蚀刻（Etch）或离子注入（Ion Implant）等工艺提供图形化模板。
光刻工艺的主要步骤
- 涂胶（Coating）：在硅片表面均匀涂覆一层光刻胶（Photo Resist，PR），光刻胶是一种对光敏感的材料。
- 曝光（Exposure）：使用光刻机（通常为步进式光刻机，Steper）将掩膜版上的图案通过紫外线等光源照射到光刻胶上，使光刻胶发生化学反应。
- 显影（Development）：通过显影液处理，去除曝光部分（正性光刻胶）或未曝光部分（负性光刻胶），从而在硅片上形成所需的图案。
- 检测（Inspection）：使用光学检测设备检查图案的准确性，确保图形的尺寸和位置符合设计要求。
光刻工艺的重要性
- 光刻是唯一形成图形的工艺步骤，其精度直接影响芯片的性能和良率。
- 随着半导体技术的发展，光刻工艺需要不断改进，以实现更小的特征尺寸和更高的集成度。
光刻技术的发展
现代光刻技术包括多种先进的曝光技术，如浸没式光刻（Immersion Lithography）、极紫外光刻（EUV Lithography）等，这些技术通过不断缩小曝光波长和优化光学系统，推动了半导体制造向更小的工艺节点发展。
光刻工艺在整个半导体制造流程中处于核心地位，是实现复杂集成电路设计的关键技术。